型号:2PS08012E32G30868
功能描述:IGBT 模块
RoHS:否
制造商:Infineon Technologies
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:1.95 V
在25 C的连续集电极电流:230 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:445 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:34MM
封装:
2PS08012E32G30900
2PS08012E32G30901
2PS08017E34G28216
2PS08017E34G30881
2PS09012E33G27427
2PS09012E33G30869
2PS09012S43G28191
2PS09012S43G30860
2PS09017E33G28215
2PS09017E33G30880
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